磁斯格明子在钉扎作用下的动力学研究进展

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蒋韫希,  于昊*

西交利物浦大学, 物理系, 江苏苏州 215123

摘     要: 磁斯格明子由于其具有拓扑保护、尺寸小、驱动电流低的优势,有望应用于下一代存储和计算器件,例如赛道存储、逻辑计算和神经计算器件。室温下磁斯格明子的发现也为实现基于磁斯格明子的计算和存储器件奠定了基础。缺陷和杂质等在真实材料中不可避免,这些天然的钉扎中心会对磁斯格明子的动力学,包括临界驱动电流、霍尔角度等产生重要影响。关于薄膜中室温磁斯格明子的工作表明,钉扎的影响在室温下会非常大。因此,研究不同温度下的钉扎效应和磁斯格明子-钉扎间的相互作用,对研究磁斯格明子在实际器件中的动力学和实现室温磁斯格明子自旋器件非常重要。此外,利用这些作用也可人工引入钉扎中心以操控磁斯格明子的运动。本文介绍了磁斯格明子的动力学模型,特别是在有限温环境、钉扎作用下的理论模型,以及数值模拟。同时,简要综述了最近关于钉扎和磁斯格明子相互作用的一些研究工作;并展望了该领域的研究方向。通过替换或增加原子、设置空缺、改变材料厚度或弯曲度、改变磁性参数等方式引入钉扎时,可使磁斯格明子运动时的霍尔角发生变化,也可将磁斯格明子固定在某一区域,或沿着特定轨道运动,克服室温下热扰动,有助于实现室温下磁斯格明子自旋器件。
关 键 词: 磁斯格明子; 钉扎; 动力学
DOI: 10.57237/j.se.2022.01.005
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